Совместно с
Открытая лекция о вопросах актуальности и важности проведения разработок в области создания новых материалов при помощи методов математического моделирования.
Вы узнаете об основных направлениях современного материаловедения, технологиях создания перспективных материалов, методах математического моделирования и возможностях, которые они открывают для будущих технологий.
Вы узнаете об основных направлениях современного материаловедения, технологиях создания перспективных материалов, методах математического моделирования и возможностях, которые они открывают для будущих технологий.
Вызовы XXI века в области создания новых материалов
ТюмГУ
Без выдачи
удостоверения
удостоверения
2
часа
часа
Кому подойдет курс
Молодым ученым, преподавателям
Магистрантам, аспирантам профильных кафедр
Представителям R&D подразделений
Чему вы научитесь
- 1Применять технологии создания перспективных материалов и методы математического моделирования для будущих технологий
- 2Предсказывать новые материалы, стабильные химические соединения, материалы с сочетанием свойств и лучшие материалы из всех возможных соединений
Основные темы курса
Суперматериалы и практические задачи, которые они могут решать. Тетраэдр материаловедения
Как предсказывать новые материалы
Две дороги в компьютерном дизайне материалов
Предсказательная сила больших данных
Как предсказать стабильные химические соединения
Карты стабильности кластеров
Предсказание материалов с сочетанием свойств
Как предсказать лучший материал из всех возможных соединений
Как построить химическое пространство
Суперматериалы и практические задачи, которые они могут решать. Тетраэдр материаловедения
Как предсказывать новые материалы
Две дороги в компьютерном дизайне материалов
Предсказательная сила больших данных
Как предсказать стабильные химические соединения
Карты стабильности кластеров
Как предсказать лучший материал из всех возможных соединений
Как предсказать стабильные химические соединения
Как построить химическое пространство
Авторы курса
Артем Оганов
∎ Защитил кандидатскую диссертацию (PhD) по кристаллографии в Университетском колледже Лондона, вскоре получил степень доктора наук (Habilitation) в Цюрихском политехническом институте, которая в 2016 году была приравнена к российской степени доктора физико-математических наук.
∎ Профессор Сколковского института науки и технологий. В 2008—2017 годы являлся профессором и заведующим лабораторией компьютерного дизайна материалов в Университете штата Нью-Йорк в Стоуни-Брук. В 2013 году, получив мегагрант Правительства Российской Федерации, создал и возглавил Лабораторию компьютерного дизайна материалов в Московском физико-техническом институте. С 2005 года более десяти раз был приглашенным профессором в университетах и институтах Италии (Милан), Франции (Париж, Лилль и Пуатье), Китая (Гуйлинь, Пекин, Гонконг).
∎ В 2011 году создал и до 2017 года возглавлял Комиссию по кристаллографии материалов при Международном союзе кристаллографов. Входит в состав научных советов РАН по проблемам геохимии и по химической физике, а также в редколлегии журналов «Scientific Reports», «Геохимия», «Journal of Superhard Materials», «Crystals». В 2013—2014 годах являлся президентом Американской ветви Международной ассоциации русскоговорящих ученых. В 2017—2020 годах состоял в Совете по науке и образованию при Президенте РФ.
∎ Был назван одним из самых цитируемых ученых России 2016 г. (2016 Thompson Reuters Russian Highly Cited Researcher Award) в номинации «Химия» и 2017 г. (2017 Thompson Reuters Russian Highly Cited Researcher Award) в номинации «Физика» по версии Clarivate Analytics (2016), (2017). В 2014 году журналы «Русский репортер» и «Эксперт» включили Оганова в список 100 наиболее влиятельных россиян, а журнал «Forbes» включил его в число «50 россиян, завоевавших мир». Эксперт просветительской программы «Всенаука».
∎ Профессор Сколковского института науки и технологий. В 2008—2017 годы являлся профессором и заведующим лабораторией компьютерного дизайна материалов в Университете штата Нью-Йорк в Стоуни-Брук. В 2013 году, получив мегагрант Правительства Российской Федерации, создал и возглавил Лабораторию компьютерного дизайна материалов в Московском физико-техническом институте. С 2005 года более десяти раз был приглашенным профессором в университетах и институтах Италии (Милан), Франции (Париж, Лилль и Пуатье), Китая (Гуйлинь, Пекин, Гонконг).
∎ В 2011 году создал и до 2017 года возглавлял Комиссию по кристаллографии материалов при Международном союзе кристаллографов. Входит в состав научных советов РАН по проблемам геохимии и по химической физике, а также в редколлегии журналов «Scientific Reports», «Геохимия», «Journal of Superhard Materials», «Crystals». В 2013—2014 годах являлся президентом Американской ветви Международной ассоциации русскоговорящих ученых. В 2017—2020 годах состоял в Совете по науке и образованию при Президенте РФ.
∎ Был назван одним из самых цитируемых ученых России 2016 г. (2016 Thompson Reuters Russian Highly Cited Researcher Award) в номинации «Химия» и 2017 г. (2017 Thompson Reuters Russian Highly Cited Researcher Award) в номинации «Физика» по версии Clarivate Analytics (2016), (2017). В 2014 году журналы «Русский репортер» и «Эксперт» включили Оганова в список 100 наиболее влиятельных россиян, а журнал «Forbes» включил его в число «50 россиян, завоевавших мир». Эксперт просветительской программы «Всенаука».